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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTR5198NLT1G

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NTR5198NLT1G image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTR5198NLT1G

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Spécifications

Modèle de produit

NTR5198NLT1G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTR5198NLT1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-23-3 (TO-236)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

155 mOhm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

900mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

NTR5198NLT1GOSTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

182pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 1.7A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.7A (Ta)

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