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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Spécifications

Modèle de produit

NTTFS4939NTWG
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTTFS4939NTWG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-WDFN (3.3x3.3)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)

850mW (Ta), 29.8W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerWDFN
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1979pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 8.9A (Ta), 52A (Tc) 850mW (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8.9A (Ta), 52A (Tc)

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