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4649422ALD110900APAL imageAdvanced Linear Devices, Inc.

ALD110900APAL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    ALD110900APAL
  • Fabricant / marque
    Advanced Linear Devices, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    ALD110900APAL.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    10mV @ 1µA
  • Package composant fournisseur
    8-PDIP
  • Séries
    EPAD®, Zero Threshold™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500 Ohm @ 4V
  • Puissance - Max
    500mW
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Autres noms
    1014-1030
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2.5pF @ 5V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • type de FET
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • Fonction FET
    Standard
  • Tension drain-source (Vdss)
    10.6V
  • Description détaillée
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    -

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ALD110904PAL

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La description: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Fabricant: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD110902SAL

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Fabricant: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD110808APCL

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ALD110808PCL

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ALD110804SCL

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ALD1108EPCL

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La description: MOSFET 4N-CH 10V 16DIP

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ALD110904SAL

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ALD110902PAL

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ALD110908ASAL

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ALD110908APAL

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ALD110808ASCL

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ALD110814PCL

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La description: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

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ALD110804PCL

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ALD110814SCL

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La description: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

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ALD1108ESCL

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ALD110908PAL

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