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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C128M16MD2A-25BCNTR
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AS4C128M16MD2A-25BCNTR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C128M16MD2A-25BCNTR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.14 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Package composant fournisseur
    134-FBGA (10x11.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    134-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    2Gb (128M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    4 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 400MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • Fréquence d'horloge
    400MHz
AS4C128M32MD2A-25BIN

AS4C128M32MD2A-25BIN

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C128M16MD2A-25BCN

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

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AS4C128M32MD2-18BCN

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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AS4C128M16D3LA-12BINTR

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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AS4C128M32MD2A-18BINTR

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AS4C128M16D3LB-12BCN

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AS4C128M32MD2-18BCNTR

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AS4C128M32MD2-18BINTR

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AS4C128M32MD2-18BIN

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AS4C128M16MD2-25BCNTR

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AS4C128M16D3LA-12BCNTR

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AS4C128M32MD2A-25BINTR

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AS4C128M32MD2A-18BIN

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AS4C128M16D3LB-12BIN

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AS4C128M16D3LB-12BCNTR

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AS4C128M8D1-6TINTR

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

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AS4C128M16D3LA-12BIN

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AS4C128M16MD2-25BCN

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AS4C128M16D3LB-12BINTR

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AS4C128M8D1-6TIN

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