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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C16M16SA-7BCNTR
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280422AS4C16M16SA-7BCNTR imageAlliance Memory, Inc.

AS4C16M16SA-7BCNTR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C16M16SA-7BCNTR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    14ns
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SDRAM
  • Package composant fournisseur
    54-TFBGA (8x8)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    54-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (16M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Description détaillée
    SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Temps d'accès
    5.4ns
AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16SA-7TCNTR

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Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16SA-6TANTR

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16SA-6TINTR

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AS4C16M16SA-6BINTR

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AS4C16M32MD1-5BCNTR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

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AS4C16M16SA-6BIN

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AS4C16M32MS-7BCNTR

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AS4C16M32MS-6BINTR

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AS4C16M16SA-7BCN

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AS4C16M32MS-7BCN

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AS4C16M16SA-6TCNTR

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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AS4C16M16SA-6TIN

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AS4C16M16SA-6BANTR

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AS4C16M16SA-6TCN

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AS4C16M32MD1-5BIN

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AS4C16M32MS-6BIN

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AS4C16M16SA-6TAN

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AS4C16M32MD1-5BCN

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