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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C16M32MD1-5BCN
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3199580AS4C16M32MD1-5BCN imageAlliance Memory, Inc.

AS4C16M32MD1-5BCN

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320+
$3.532
640+
$3.402
1120+
$3.235
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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C16M32MD1-5BCN
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4C16M32MD1-5BCN.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Package composant fournisseur
    90-FBGA (8x13)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    90-VFBGA
  • Autres noms
    1450-1120
  • Température de fonctionnement
    -25°C ~ 85°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (16M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Temps d'accès
    5ns

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "AS4C16M32MD1-5BCN".
AS4C16M16SA-6TIN

AS4C16M16SA-6TIN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M16SA-6TAN

AS4C16M16SA-6TAN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M16SA-7BCNTR

AS4C16M16SA-7BCNTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M16SA-6TCNTR

AS4C16M16SA-6TCNTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M16SA-6TINTR

AS4C16M16SA-6TINTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M16SA-6TCN

AS4C16M16SA-6TCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M16SA-6TANTR

AS4C16M16SA-6TANTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16SA-7BCN

AS4C16M16SA-7BCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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