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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C32M16MS-7BCNTR
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AS4C32M16MS-7BCNTR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C32M16MS-7BCNTR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 54BGA
  • État sans plomb / État RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile SDRAM
  • Package composant fournisseur
    54-BGA (9x8)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    54-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (32M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-BGA (9x8)
  • Fréquence d'horloge
    133MHz
  • Temps d'accès
    5.4ns
AS4C32M16SA-7TIN

AS4C32M16SA-7TIN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16MD1A-5BCN

AS4C32M16MD1A-5BCN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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AS4C32M16MD1-5BINTR

AS4C32M16MD1-5BINTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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AS4C32M16SA-7BINTR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

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AS4C32M16MS-7BCN

AS4C32M16MS-7BCN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54BGA

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AS4C32M16MSA-6BINTR

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AS4C32M16SA-7BCN

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AS4C32M16SA-7BIN

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AS4C32M16SA-7TCNTR

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AS4C32M16MSA-6BIN

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AS4C32M16SA-7TCN

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AS4C32M16MD1-6BCN

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

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AS4C32M16SA-7TINTR

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AS4C32M16MD1-5BCN

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AS4C32M16MD1A-5BCNTR

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AS4C32M16D3L-12BINTR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

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AS4C32M16SA-7BCNTR

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AS4C32M16MD1-6BCNTR

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AS4C32M16MD1-5BIN

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AS4C32M16MD1-5BCNTR

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