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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C64M8D3L-12BCN
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2892190AS4C64M8D3L-12BCN imageAlliance Memory, Inc.

AS4C64M8D3L-12BCN

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C64M8D3L-12BCN
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4C64M8D3L-12BCN.pdf
  • Tension - Alimentation
    1.283 V ~ 1.45 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR3
  • Package composant fournisseur
    78-FBGA (8x10.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    78-VFBGA
  • Autres noms
    1450-1431
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 95°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (64M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR3 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (8x10.5)
  • Fréquence d'horloge
    800MHz
  • Temps d'accès
    20ns

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Expédition
Paiement
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AS4C64M8D3-12BIN

AS4C64M8D3-12BIN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M8SA-7TCN

AS4C64M8SA-7TCN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M8D3-12BINTR

AS4C64M8D3-12BINTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16D1-5TCN

AS4C8M16D1-5TCN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M8D2-25BINTR

AS4C64M8D2-25BINTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16D1-5BINTR

AS4C8M16D1-5BINTR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M8D2-25BIN

AS4C64M8D2-25BIN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16D1-5BCN

AS4C8M16D1-5BCN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M8D3L-12BIN

AS4C64M8D3L-12BIN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16D1-5BCNTR

AS4C8M16D1-5BCNTR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D3L-12BCNTR

AS4C64M8D3L-12BCNTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D2-25BCNTR

AS4C64M8D2-25BCNTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M8D2-25BAN

AS4C64M8D2-25BAN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D2-25BANTR

AS4C64M8D2-25BANTR

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AS4C64M8D2-25BCN

AS4C64M8D2-25BCN

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AS4C64M8SA-7TCNTR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C8M16D1-5BIN

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

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AS4C64M8D3-12BCNTR

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AS4C64M8D3-12BCN

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D3L-12BINTR

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