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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C64M8D3L-12BCNTR
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5325036AS4C64M8D3L-12BCNTR imageAlliance Memory, Inc.

AS4C64M8D3L-12BCNTR

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Spécifications
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    AS4C64M8D3L-12BCNTR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Alimentation
    1.283 V ~ 1.45 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR3
  • Package composant fournisseur
    78-FBGA (8x10.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    78-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 95°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (64M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR3 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (8x10.5)
  • Fréquence d'horloge
    800MHz
  • Temps d'accès
    20ns
AS4C8M16D1-5BIN

AS4C8M16D1-5BIN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16D1-5BCN

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Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8SA-7TCNTR

AS4C64M8SA-7TCNTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D2-25BIN

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AS4C8M16D1-5BCNTR

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AS4C64M8SA-7TCN

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AS4C64M8D2-25BCN

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AS4C64M8D3-12BCNTR

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AS4C8M16D1-5TCN

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C64M8D3L-12BCN

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AS4C8M16D1-5TCNTR

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AS4C64M8D3-12BIN

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AS4C64M8D3-12BCN

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AS4C64M8D3L-12BINTR

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AS4C64M8D2-25BANTR

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AS4C64M8D3L-12BIN

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