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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C8M16D1-5TCNTR
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3215078AS4C8M16D1-5TCNTR imageAlliance Memory, Inc.

AS4C8M16D1-5TCNTR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C8M16D1-5TCNTR
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4C8M16D1-5TCNTR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    2.3 V ~ 2.7 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR
  • Package composant fournisseur
    66-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    128Mb (8M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Temps d'accès
    700ps

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Expédition
Paiement
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AS4C8M16MSA-6BIN

AS4C8M16MSA-6BIN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M8D3L-12BINTR

AS4C64M8D3L-12BINTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16D1-5TIN

AS4C8M16D1-5TIN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16D1-5BIN

AS4C8M16D1-5BIN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16D1A-5TCNTR

AS4C8M16D1A-5TCNTR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16S-6BINTR

AS4C8M16S-6BINTR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M8SA-7TCN

AS4C64M8SA-7TCN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16D1-5TCN

AS4C8M16D1-5TCN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16MSA-6BINTR

AS4C8M16MSA-6BINTR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16D1A-5TCN

AS4C8M16D1A-5TCN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16D1-5BCN

AS4C8M16D1-5BCN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16D1-5TINTR

AS4C8M16D1-5TINTR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16D1A-5TINTR

AS4C8M16D1A-5TINTR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C8M16D1A-5TIN

AS4C8M16D1A-5TIN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C8M16D1-5BCNTR

AS4C8M16D1-5BCNTR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

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AS4C64M8D3L-12BCNTR

AS4C64M8D3L-12BCNTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

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AS4C8M16D1-5BINTR

AS4C8M16D1-5BINTR

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AS4C64M8SA-7TCNTR

AS4C64M8SA-7TCNTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C64M8D3L-12BIN

AS4C64M8D3L-12BIN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16S-6BIN

AS4C8M16S-6BIN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

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