Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF > NE3509M04-T2-A
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
3702882NE3509M04-T2-A imageCEL (California Eastern Laboratories)

NE3509M04-T2-A

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    NE3509M04-T2-A
  • Fabricant / marque
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    FET RF 4V 2GHZ SOT-343
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.NE3509M04-T2-A.pdf
    2.NE3509M04-T2-A.pdf
  • Tension - Test
    2V
  • Tension - Nominale
    4V
  • Transistor Type
    HFET
  • Package composant fournisseur
    M04
  • Séries
    -
  • Alimentation - sortie
    11dBm
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-343F
  • Autres noms
    NE3509M04-T2-A-ND
    NE3509M04-T2-ATR
    NE3509M04T2A
  • Noise Figure
    0.4dB
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gain
    17.5dB
  • La fréquence
    2GHz
  • Description détaillée
    RF Mosfet HFET 2V 10mA 2GHz 17.5dB 11dBm M04
  • Note actuelle
    60mA
  • Courant - Test
    10mA
  • Numéro de pièce de base
    NE3509

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "NE3509M04-T2-A".
NE34018-T1-A

NE34018-T1-A

La description: FET RF 4V 2GHZ SOT-343

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3512S02-A

NE3512S02-A

La description: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3503M04-T2-A

NE3503M04-T2-A

La description: FET RF 4V 12GHZ M04

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3508M04-A

NE3508M04-A

La description: FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3514S02-A

NE3514S02-A

La description: HJ-FET NCH 10DB S02

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3509M04-EVNF24-A

NE3509M04-EVNF24-A

La description: EVAL DEV RF NE3509M04

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3513M04-A

NE3513M04-A

La description: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3508M04-EVNF23-A

NE3508M04-EVNF23-A

La description: EVAL DEV RF NE3508M04

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3511S02-A

NE3511S02-A

La description: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3503M04-A

NE3503M04-A

La description: FET RF 4V 12GHZ M04

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

La description: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

La description: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A

La description: IC AMP RF LNA 13.5DB S02

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3503M04-T2B-A

NE3503M04-T2B-A

La description: FET RF 4V 12GHZ M04

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A

La description: FET RF 4V 4GHZ M04

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3508M04-T2-A

NE3508M04-T2-A

La description: FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3510M04-A

NE3510M04-A

La description: FET RF 4V 4GHZ M04

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE350184C

NE350184C

La description: FET RF 4V 20GHZ MICRO-X

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3509M04-A

NE3509M04-A

La description: FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

La description: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.