Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF > NE3511S02-T1C-A
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
5255931NE3511S02-T1C-A imageCEL (California Eastern Laboratories)

NE3511S02-T1C-A

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    NE3511S02-T1C-A
  • Fabricant / marque
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC AMP RF LNA 13.5DB S02
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    NE3511S02-T1C-A.pdf
  • Tension - Test
    2V
  • Tension - Nominale
    4V
  • Transistor Type
    HFET
  • Package composant fournisseur
    S02
  • Séries
    -
  • Alimentation - sortie
    -
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    4-SMD, Flat Leads
  • Autres noms
    NE3511S02-T1C-ADKR
  • Noise Figure
    0.3dB
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gain
    13.5dB
  • La fréquence
    12GHz
  • Description détaillée
    RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
  • Note actuelle
    70mA
  • Courant - Test
    10mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip annonce 500 licenciements, avec des coûts de res...

2024/12/4

Quanta: La demande d'IA continue d'être forte, ave...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung réduit considérablement l'utilisation de la p...

2024/12/2

Vishay investira 51 millions de livres sterling dans le NWF...

2024/11/29

La menace tarifaire de Trump, Nvidia, les fournisseurs d...

2024/11/28

Intel recevra 7,86 milliards de dollars de subventions en v...

2024/11/27

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "NE3511S02-T1C-A".
NE3509M04-A

NE3509M04-A

La description: FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

La description: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3513M04-A

NE3513M04-A

La description: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3514S02-A

NE3514S02-A

La description: HJ-FET NCH 10DB S02

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3509M04-T2-A

NE3509M04-T2-A

La description: FET RF 4V 2GHZ SOT-343

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3509M04-EVNF24-A

NE3509M04-EVNF24-A

La description: EVAL DEV RF NE3509M04

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

La description: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

La description: HJ-FET NCH 10DB S02

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3508M04-A

NE3508M04-A

La description: FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

La description: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A

La description: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

La description: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3512S02-A

NE3512S02-A

La description: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3510M04-A

NE3510M04-A

La description: FET RF 4V 4GHZ M04

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A

La description: FET RF 4V 4GHZ M04

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3508M04-T2-A

NE3508M04-T2-A

La description: FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3515S02-A

NE3515S02-A

La description: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3508M04-EVNF23-A

NE3508M04-EVNF23-A

La description: EVAL DEV RF NE3508M04

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3503M04-T2B-A

NE3503M04-T2B-A

La description: FET RF 4V 12GHZ M04

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
NE3511S02-A

NE3511S02-A

La description: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.