2N2906

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Spécifications

Modèle de produit

2N2906
Fabricant / marque

Central Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2N2906.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

TO-18
Séries

-
Puissance - Max

1.8W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Autres noms

2N2906 PBFREE
2N2906CS
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

200MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 600mA 200MHz 1.8W Through Hole TO-18
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

20nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

600mA

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2N2905A

La description:

Fabricant: STMicroelectronics

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