2N2906AUB

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Spécifications

Modèle de produit

2N2906AUB
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PNP 60V 0.6A
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

2N2906AUB.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

UB
Séries

-
Puissance - Max

500mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

3-SMD, No Lead
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 500mW Surface Mount UB
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

50nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

600mA

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Ce qui suit est des produits liés à "2N2906AUB".

2N2906A

La description: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

Fabricant: Central Semiconductor

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