1N5408-G

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Spécifications

Modèle de produit

1N5408-G
Fabricant / marque

Comchip Technology
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1N5408-G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

950mV @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

1000V
Package composant fournisseur

DO-27 (DO-201AD)
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

DO-201AD, Axial
Autres noms

641-1316-1
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 125°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

13 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 1000V 3A Through Hole DO-27 (DO-201AD)
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

3A
Capacité à Vr, F

-
Numéro de pièce de base

1N5408

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1N5408-E3/54

La description:

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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