1N5408G-T

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Spécifications

Modèle de produit

1N5408G-T
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1N5408G-T.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.1V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

1000V
Package composant fournisseur

DO-201AD
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

2µs
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

DO-201AD, Axial
Autres noms

1N5408GCT
1N5408GCT-ND
1N5408GDICT
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 150°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 1000V 3A Through Hole DO-201AD
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

3A
Capacité à Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz
Numéro de pièce de base

1N5408

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Ce qui suit est des produits liés à "1N5408G-T".

1N5408GHA0G

La description: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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