HER307GT-G

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Spécifications

Modèle de produit

HER307GT-G
Fabricant / marque

Comchip Technology
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

HER307GT-G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.7V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

800V
Package composant fournisseur

DO-27
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

75ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-201AA, DO-27, Axial
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-27
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 800V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

3A
Capacité à Vr, F

-

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "HER307GT-G".

HER306G R0G

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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