HER308GA-G

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Spécifications

Modèle de produit

HER308GA-G
Fabricant / marque

Comchip Technology
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AA
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

HER308GA-G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.7V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

1000V
Package composant fournisseur

DO-27
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

75ns
Emballage

Tape & Box (TB)
Package / Boîte

DO-201AA, DO-27, Axial
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 1000V 3A Through Hole DO-27
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

3A
Capacité à Vr, F

-

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "HER308GA-G".

HER308G B0G

La description: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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