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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > CY62167GN18-55BVXI
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2360620CY62167GN18-55BVXI imageCypress Semiconductor

CY62167GN18-55BVXI

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Spécifications
  • Modèle de produit
    CY62167GN18-55BVXI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 16M PARALLEL
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    55ns
  • Tension - Alimentation
    1.65 V ~ 2.2 V
  • La technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    48-VFBGA (6x8)
  • Séries
    MoBL®
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    48-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    16Mb (2M x 8, 1M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mb (2M x 8, 1M x 16) Parallel 55ns 48-VFBGA (6x8)
  • Temps d'accès
    55ns
CY62167GN30-45BVXI

CY62167GN30-45BVXI

La description: IC SRAM 16M PARALLEL 48BGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY62167GN30-45BVXIT

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CY62167GE30-45ZXIT

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La description: IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY62167GE18-55BVXI

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY62168DV30LL-55BVI

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CY62167GE30-45BV1XI

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CY62167GN30-45ZXIT

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CY62167GN-45ZXI

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La description: IC SRAM 16M PARALLEL

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CY62167GN18-55BVXIT

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La description: IC SRAM 16M PARALLEL

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CY62167GN30-45ZXI

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La description: IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

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CY62168DV30LL-55BVXI

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY62167GE30-45BV1XIT

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CY62167GE30-45ZXI

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CY62167GE30-45BVXI

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CY62167GN-45ZXIT

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CY62168EV30LL-45BVXI

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