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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > CY7C1061GE18-15ZSXI
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3809642CY7C1061GE18-15ZSXI imageCypress Semiconductor

CY7C1061GE18-15ZSXI

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Spécifications
  • Modèle de produit
    CY7C1061GE18-15ZSXI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.65 V ~ 2.2 V
  • La technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    54-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    16Mb (1M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 15ns 54-TSOP II
  • Temps d'accès
    15ns
CY7C1061GE30-10BVJXIT

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La description: IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY7C1061GE-10ZXI

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La description: IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

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CY7C1061GE-10ZSXI

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CY7C1061GE18-15BV1XIT

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La description: IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

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