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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > CY7C1150KV18-400BZXI
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5722677CY7C1150KV18-400BZXI imageCypress Semiconductor

CY7C1150KV18-400BZXI

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Spécifications
  • Modèle de produit
    CY7C1150KV18-400BZXI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SRAM - Synchronous, DDR II+
  • Package composant fournisseur
    165-FBGA (13x15)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    165-LBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    18Mb (512K x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Synchronous, DDR II+ Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 400MHz 165-FBGA (13x15)
  • Fréquence d'horloge
    400MHz
  • Numéro de pièce de base
    CY7C1150
CY7C1148KV18-450BZXC

CY7C1148KV18-450BZXC

La description: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY7C1163KV18-450BZC

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY7C11501KV18-400BZXI

CY7C11501KV18-400BZXI

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY7C1165KV18-550BZXC

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CY7C1148KV18-400BZC

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CY7C1145LV18-400BZXC

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CY7C1150KV18-400BZC

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CY7C11501KV18-400BZXC

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CY7C1163KV18-400BZI

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY7C11481KV18-400BZC

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CY7C1150KV18-400BZXC

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CY7C1150KV18-450BZC

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CY7C11481KV18-400BZXC

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