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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > CY7C1414BV18-200BZXI
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2704568CY7C1414BV18-200BZXI imageCypress Semiconductor

CY7C1414BV18-200BZXI

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Spécifications
  • Modèle de produit
    CY7C1414BV18-200BZXI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SRAM - Synchronous, QDR II
  • Package composant fournisseur
    165-FBGA (15x17)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    165-LBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    36Mb (1M x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb (1M x 36) Parallel 200MHz 165-FBGA (15x17)
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Numéro de pièce de base
    CY7C1414
CY7C1414KV18-250BZXI

CY7C1414KV18-250BZXI

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY7C1414KV18-250BZCT

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CY7C1414AV18-167BZC

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY7C1414KV18-250BZC

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CY7C1414AV18-200BZXC

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CY7C1414JV18-267BZC

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CY7C1414BV18-167BZC

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CY7C1414BV18-250BZXI

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CY7C1414KV18-250BZI

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