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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > S26KL512SDABHM030
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6890962S26KL512SDABHM030 imageCypress Semiconductor

S26KL512SDABHM030

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Spécifications
  • Modèle de produit
    S26KL512SDABHM030
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NOR
  • Package composant fournisseur
    24-FBGA (6x8)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    24-VBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (64M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 100MHz 96ns 24-FBGA (6x8)
  • Fréquence d'horloge
    100MHz
  • Temps d'accès
    96ns
S26KL512SDABHA030

S26KL512SDABHA030

La description: IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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S26KL256SDABHN030

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La description: IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

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S26KS128SDABHA030

S26KS128SDABHA030

La description: IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

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S26KL512SDABHI030

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S26KL256SDABHV030

S26KL256SDABHV030

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S26KL512SDABHB030

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S26KS128SDABHI030

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S26KS128SDABHM030

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S26KL512SDABHV023

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S26KL512SDABHA020

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S26KS128SDABHB030

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S26KL512SDABHV020

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