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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > S29GL256N11FFVR22
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S29GL256N11FFVR22

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Spécifications
  • Modèle de produit
    S29GL256N11FFVR22
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 256M PARALLEL
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    110ns
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NOR
  • Séries
    GL-N
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (32M x 8, 16M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NOR Memory IC 256Mb (32M x 8, 16M x 16) Parallel 110ns
  • Temps d'accès
    110ns
S29GL256N11FFA023

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La description: IC FLASH 256M PARALLEL

Fabricant: Cypress Semiconductor
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S29GL256N11FFA013

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S29GL256N90FFAR22

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La description: IC FLASH 256M PARALLEL

Fabricant: Cypress Semiconductor
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S29GL256N10TFI010

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La description: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

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S29GL256N10FFI010

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La description: IC FLASH

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S29GL256N90TFAR10

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S29GL128S90TFI020

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La description: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

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S29GL128S90TFA023

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S29GL256N11TFI023

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S29GL256N11TFA013

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S29GL256P10FFI010

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S29GL128S90TFI010

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La description: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

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S29GL256N11TFVR10

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S29GL256N90TFAR13

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S29GL256P10FAI022

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S29GL256P10FFI012

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