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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (CI) > Mémoire > S29GL256S10DHB023
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S29GL256S10DHB023

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Spécifications
  • Modèle de produit
    S29GL256S10DHB023
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 256M PARALLEL
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    60ns
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NOR
  • Séries
    Automotive, AEC-Q100, GL-S
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (16M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NOR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 100ns
  • Temps d'accès
    100ns
S29GL256P90TFIR13

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La description: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

Fabricant: Cypress Semiconductor
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S29GL256S10DHIV20

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S29GL256S10DHIV13

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S29GL256P90TFIR23

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S29GL256S10DHI020

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S29GL256P90TFCR20

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S29GL256S10DHSS10

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S29GL256P90TFIR10

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S29GL256S10DHI010

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S29GL256S10DHIV23

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S29GL256S10DHI023

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S29GL256S10DHAV23

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S29GL256S10DHA023

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S29GL256S10DHIV10

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S29GL256S10DHAV10

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S29GL256P90TFCR23

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S29GL256S10DHB020

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S29GL256S10DHSS20

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