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4588656S34ML02G200BHA003 imageCypress Semiconductor

S34ML02G200BHA003

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  • Modèle de produit
    S34ML02G200BHA003
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 2G PARALLEL
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    25ns
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Séries
    Automotive, AEC-Q100, ML-2
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    2Gb (256M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel
S34ML02G200BHI503

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La description: IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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La description: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

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