BAS116

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Spécifications

Modèle de produit

BAS116
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

BAS116.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

215mA (DC)
Tension - Ventilation

SOT-23-3
Séries

-
État RoHS

Cut Tape (CT)
Temps de recouvrement inverse (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

2pF @ 0V, 1MHz
Polarisation

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

BAS116DICT
Température d'utilisation - Jonction

3µs
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

BAS116
Description élargie

Diode Standard 85V 215mA (DC) Surface Mount SOT-23-3
Configuration diode

5nA @ 75V
La description

DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3
Courant - fuite, inverse à Vr

1.25V @ 150mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

85V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 150°C

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BAS116,215

La description:

Fabricant: NXP Semiconductors

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