BAS116-7-F

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Spécifications

Modèle de produit

BAS116-7-F
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BAS116-7-F.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.25V @ 150mA
Tension - inverse (Vr) (max)

85V
Package composant fournisseur

SOT-23-3
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

3µs
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

BAS116-FDITR
BAS1167F
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 85V 215mA (DC) Surface Mount SOT-23-3
Courant - fuite, inverse à Vr

5nA @ 75V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

215mA (DC)
Capacité à Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz
Numéro de pièce de base

BAS116

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BAS116,215

La description:

Fabricant: NXP Semiconductors

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