DMG7N65SCT

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Spécifications

Modèle de produit

DMG7N65SCT
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMG7N65SCT.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

125W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

22 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

886pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

25.2nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 7.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7.7A (Tc)

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DMG7401SFG-13

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