Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMG7N65SJ3
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
2311369

DMG7N65SJ3

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
75+
$0.946
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    DMG7N65SJ3
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMG7N65SJ3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-251
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    125W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Délai de livraison standard du fabricant
    22 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    886pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    650V
  • Description détaillée
    N-Channel 650V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    5.5A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip annonce 500 licenciements, avec des coûts de res...

2024/12/4

Quanta: La demande d'IA continue d'être forte, ave...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung réduit considérablement l'utilisation de la p...

2024/12/2

Vishay investira 51 millions de livres sterling dans le NWF...

2024/11/29

La menace tarifaire de Trump, Nvidia, les fournisseurs d...

2024/11/28

Intel recevra 7,86 milliards de dollars de subventions en v...

2024/11/27

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMG7N65SJ3".
DMG904010R

DMG904010R

La description: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

Fabricant: Panasonic
En stock
RFQ
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

La description: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

La description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

La description: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

La description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

La description: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

La description: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7

La description: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG963030R

DMG963030R

La description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Fabricant: Panasonic
En stock
RFQ
DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

La description: MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG963H10R

DMG963H10R

La description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Fabricant: Panasonic
En stock
RFQ
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

La description: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG963010R

DMG963010R

La description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Fabricant: Panasonic
En stock
RFQ
DMG7401SFG-13

DMG7401SFG-13

La description: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG963020R

DMG963020R

La description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Fabricant: Panasonic
En stock
RFQ
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

La description: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

La description: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG7401SFGQ-13

DMG7401SFGQ-13

La description: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG8880LSS-13

DMG8880LSS-13

La description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG7401SFGQ-7

DMG7401SFGQ-7

La description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.