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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMN10H170SVTQ-7
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911875DMN10H170SVTQ-7 imageDiodes Incorporated

DMN10H170SVTQ-7

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMN10H170SVTQ-7
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMN10H170SVTQ-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TSOT-26
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    160 mOhm @ 5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    1.2W (Ta)
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Autres noms
    DMN10H170SVTQ-7DIDKR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    24 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1167pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    9.7nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    2.6A (Ta)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMN10H170SVTQ-7".
DMN1150UFB-7B

DMN1150UFB-7B

La description: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

La description: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

La description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7

La description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

La description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

La description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

La description: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

La description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

La description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H700S-13

DMN10H700S-13

La description: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

La description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7

La description: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

La description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
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DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

La description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

La description: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

La description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Fabricant: Diodes Incorporated
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