Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMN10H170SFG-13
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
2741956DMN10H170SFG-13 imageDiodes Incorporated

DMN10H170SFG-13

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
3000+
$0.194
6000+
$0.181
15000+
$0.169
30000+
$0.16
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    DMN10H170SFG-13
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PowerDI3333-8
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    122 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    940mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-PowerWDFN
  • Autres noms
    DMN10H170SFG-13DITR
    DMN10H170SFG-13TR
    DMN10H170SFG-13TR-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    870.7pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    14.9nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

La description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

La description: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

La description: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

La description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

La description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

La description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

La description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

La description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

La description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

La description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

La description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

La description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

La description: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

La description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

La description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

La description: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

La description: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter