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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMN2005UFG-13
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3202076DMN2005UFG-13 imageDiodes Incorporated

DMN2005UFG-13

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMN2005UFG-13
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMN2005UFG-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PowerDI3333-8
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    1.05W (Ta)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    8-PowerWDFN
  • Autres noms
    DMN2005UFG-13DICT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    6495pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    164nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    2.5V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    N-Channel 20V 18.1A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    18.1A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMN2005UFG-13".
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

La description: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

La description: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2005K-7

DMN2005K-7

La description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

La description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7

La description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2004WK-7

DMN2004WK-7

La description: MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2004VK-7

DMN2004VK-7

La description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

La description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

La description: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

La description: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

La description: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

La description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

La description: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

La description: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

La description: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7

La description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7

La description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2004K-7

DMN2004K-7

La description: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2004DWKQ-7

DMN2004DWKQ-7

La description: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2004TK-7

DMN2004TK-7

La description: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
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