DMN2011UFDF-7

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Spécifications

Modèle de produit

DMN2011UFDF-7
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMN2011UFDF-7.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

U-DFN2020-6 (Type F)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

2.1W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

6-UDFN Exposed Pad
Autres noms

DMN2011UFDF-7-ND
DMN2011UFDF-7DITR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2248pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 14.2A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

14.2A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "DMN2011UFDF-7".

DMN2009LSS-13

La description: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated

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