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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > DMN2019UTS-13
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DMN2019UTS-13

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMN2019UTS-13
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMN2019UTS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Package composant fournisseur
    8-TSSOP
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18.5 mOhm @ 7A, 10V
  • Puissance - Max
    780mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Autres noms
    DMN2019UTS-13DITR
    DMN2019UTS13
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    28 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    143pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    8.8nC @ 4.5V
  • type de FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Fonction FET
    Logic Level Gate
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 780mW Surface Mount 8-TSSOP
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    5.4A
  • Numéro de pièce de base
    DMN2019

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMN2019UTS-13".
DMN2020LSN-7

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La description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2026UVT-7

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La description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN2016LFG-7

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La description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN2015UFDF-7

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La description: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN2022UFDF-13

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La description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2016UTS-13

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La description: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2013UFDE-7

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La description: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN2020UFCL-7

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La description: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN2027LK3-13

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La description: MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN2016LHAB-7

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La description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN2015UFDF-13

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La description: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2014LHAB-7

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La description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN2022UFDF-7

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La description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN2013UFX-7

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La description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN2026UVT-13

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La description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN2023UCB4-7

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La description: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Fabricant: Diodes Incorporated
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DMN2011UTS-13

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La description: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Fabricant: Diodes Incorporated
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DMN2015UFDE-7

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La description: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
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DMN2022UNS-13

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La description: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
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DMN2022UNS-7

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La description: MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
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