DMN2016LFG-7

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Spécifications

Modèle de produit

DMN2016LFG-7
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMN2016LFG-7.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA
Package composant fournisseur

U-DFN3030-8
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 6A, 4.5V
Puissance - Max

770mW
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-PowerUDFN
Autres noms

DMN2016LFG-7DICT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1472pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V
type de FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 770mW Surface Mount U-DFN3030-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5.2A
Numéro de pièce de base

DMN2016L

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "DMN2016LFG-7".

DMN2022UNS-13

La description: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated

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