DMN2450UFD-7

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Spécifications

Modèle de produit

DMN2450UFD-7
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMN2450UFD-7.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

X1-DFN1212-3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 200mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

400mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

3-UDFN
Autres noms

DMN2450UFD-7DITR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

52pF @ 16V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 900mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

900mA (Ta)

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DMN2400UFDQ-7

La description: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Fabricant: Diodes Incorporated

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