DMN2500UFB4-7

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Spécifications

Modèle de produit

DMN2500UFB4-7
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMN2500UFB4-7.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±6V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

X2-DFN1006-3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

460mW (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

3-XFDFN
Autres noms

DMN2500UFB4-7DICT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

60.67pF @ 16V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.74nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 810mA (Ta) 460mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

810mA (Ta)

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DMN2600UFB-7

La description:

Fabricant: Diodes Incorporated

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