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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMN3016LFDE-7
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6320808DMN3016LFDE-7 imageDiodes Incorporated

DMN3016LFDE-7

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMN3016LFDE-7
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMN3016LFDE-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 11A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    730mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    6-UDFN Exposed Pad
  • Autres noms
    DMN3016LFDE-7DI
    DMN3016LFDE-7DI-ND
    DMN3016LFDE-7DITR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    16 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1415pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    25.1nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 10A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    10A (Ta)

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Expédition
Paiement
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DMN3018SFGQ-13

DMN3018SFGQ-13

La description: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

La description: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

La description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

La description: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

La description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

La description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

La description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

La description: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3016LK3-13

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La description: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3018SFG-7

DMN3018SFG-7

La description: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13

La description: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3018SFGQ-7

DMN3018SFGQ-7

La description: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

La description: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

La description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

La description: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3018SFG-13

DMN3018SFG-13

La description: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3016LSS-13

DMN3016LSS-13

La description: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
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DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13

La description: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

Fabricant: Diodes Incorporated
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DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

La description: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

La description: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Fabricant: Diodes Incorporated
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