DMN3070SSN-7

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Spécifications

Modèle de produit

DMN3070SSN-7
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMN3070SSN-7.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SC-59
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 4.2A, 10V
Dissipation de puissance (max)

780mW (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

DMN3070SSN-7DICT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

697pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 4.2A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount SC-59
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4.2A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "DMN3070SSN-7".

DMN3065LW-13

La description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323

Fabricant: Diodes Incorporated

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