Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMN3115UDM-7
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
4428753DMN3115UDM-7 imageDiodes Incorporated

DMN3115UDM-7

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
3000+
$0.187
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    DMN3115UDM-7
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMN3115UDM-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-26
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 6A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    900mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-23-6
  • Autres noms
    DMN3115UDM7
    DMN3115UDMDITR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    476pF @ 15V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.5V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 3.2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-26
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    3.2A (Ta)

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMN3115UDM-7".
DMN3150L-7

DMN3150L-7

La description: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7

La description: MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3110S-7

DMN3110S-7

La description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN30H14DLY-13

DMN30H14DLY-13

La description: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

La description: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

La description: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3112S-7

DMN3112S-7

La description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

La description: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7

La description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

La description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

La description: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13

La description: MOSFET N-CH 300V .25A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

La description: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN30H4D0LFDE-13

DMN30H4D0LFDE-13

La description: MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

La description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

La description: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

La description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

La description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

La description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

La description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.