DMN3135LVT-7

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Spécifications

Modèle de produit

DMN3135LVT-7
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMN3135LVT-7.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Package composant fournisseur

TSOT-26
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3.1A, 10V
Puissance - Max

840mW
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms

DMN3135LVT-7DICT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

305pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.1nC @ 4.5V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 840mW Surface Mount TSOT-26
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.5A

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Ce qui suit est des produits liés à "DMN3135LVT-7".

DMN30H14DLY-13

La description: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Fabricant: Diodes Incorporated

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