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DMN67D8LDW-7

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Spécifications

Modèle de produit

DMN67D8LDW-7
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMN67D8LDW-7.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Package composant fournisseur

SOT-363
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 500mA, 10V
Puissance - Max

320mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.82nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 230mA 320mW Surface Mount SOT-363
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

230mA

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Ce qui suit est des produits liés à "DMN67D8LDW-7".

DMN90H8D5HCT

La description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated

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