Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMN7022LFGQ-7
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
1408136

DMN7022LFGQ-7

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
2000+
$0.465
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    DMN7022LFGQ-7
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMN7022LFGQ-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PowerDI3333-8
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 7.2A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-PowerVDFN
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2737pF @ 35V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    56.5nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    75V
  • Description détaillée
    N-Channel 75V 23A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    23A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip annonce 500 licenciements, avec des coûts de res...

2024/12/4

Quanta: La demande d'IA continue d'être forte, ave...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung réduit considérablement l'utilisation de la p...

2024/12/2

Vishay investira 51 millions de livres sterling dans le NWF...

2024/11/29

La menace tarifaire de Trump, Nvidia, les fournisseurs d...

2024/11/28

Intel recevra 7,86 milliards de dollars de subventions en v...

2024/11/27

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMN7022LFGQ-7".
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

La description: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN90H2D2HCTI

DMN90H2D2HCTI

La description: MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN95H8D5HCT

DMN95H8D5HCT

La description: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

La description: MOSFET N-CH 60V SOT323

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

La description: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

La description: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMNF1-285FIB-C

DMNF1-285FIB-C

La description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Fabricant: Panduit
En stock
RFQ
DMN95H8D5HCTI

DMN95H8D5HCTI

La description: MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT

La description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMNF1-285-C

DMNF1-285-C

La description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Fabricant: Panduit
En stock
RFQ
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

La description: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

La description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMNF1-285FIB-3K

DMNF1-285FIB-3K

La description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Fabricant: Panduit
En stock
RFQ
DMN95H2D2HCTI

DMN95H2D2HCTI

La description: MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

La description: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13

La description: MOSFET N-CH 60V SOT323

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

La description: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

La description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI

La description: MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

La description: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.