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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMNH10H028SPS-13
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2001658DMNH10H028SPS-13 imageDiodes Incorporated

DMNH10H028SPS-13

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMNH10H028SPS-13
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMNH10H028SPS-13.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PowerDI5060-8
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    1.6W (Ta)
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    8-PowerTDFN
  • Autres noms
    DMNH10H028SPS-13DIDKR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2245pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    40A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMNH10H028SPS-13".
DMNH10H028SCT

DMNH10H028SCT

La description: MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMNF6-63M-L

DMNF6-63M-L

La description: CONN QC TAB 10-12AWG 0.250 CRIMP

Fabricant: Panduit
En stock
RFQ
DMNH10H028SPSQ-13

DMNH10H028SPSQ-13

La description: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMNF2-63FIBX-2K

DMNF2-63FIBX-2K

La description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Fabricant: Panduit
En stock
RFQ
DMNH10H028SK3-13

DMNH10H028SK3-13

La description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMNH4011SK3-13

DMNH4011SK3-13

La description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMNH4006SK3-13

DMNH4006SK3-13

La description: MOSFET N-CH 40V 18A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SPSQ-13

La description: MOSFET NCH 40V 110A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMNF6-63FIB-2K

DMNF6-63FIB-2K

La description: CONN QC RCPT 10-12AWG 0.250

Fabricant: Panduit
En stock
RFQ
DMNH4011SK3Q-13

DMNH4011SK3Q-13

La description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMNH4006SK3Q-13

DMNH4006SK3Q-13

La description: MOSFET N-CH 40V 20A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMNH4005SCTQ

DMNH4005SCTQ

La description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMNFR163FIB-KD

DMNFR163FIB-KD

La description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Fabricant: Panduit
En stock
RFQ
DMNH4005SCT

DMNH4005SCT

La description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMNH10H028SK3Q-13

DMNH10H028SK3Q-13

La description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMNFR1485FIB-KD

DMNFR1485FIB-KD

La description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187

Fabricant: Panduit
En stock
RFQ
DMNG1-63FL-3K

DMNG1-63FL-3K

La description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Fabricant: Panduit
En stock
RFQ
DMNH3010LK3-13

DMNH3010LK3-13

La description: MOSFET NCH 30V 15A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMNFR263FIB-KD

DMNFR263FIB-KD

La description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Fabricant: Panduit
En stock
RFQ
DMNH4005SPSQ-13

DMNH4005SPSQ-13

La description: MOSFET N-CH 40V 80A POWERDI5060

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
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