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544040DMT3009LDT-7 imageDiodes Incorporated

DMT3009LDT-7

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMT3009LDT-7
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMT3009LDT-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Package composant fournisseur
    V-DFN3030-8 (Type K)
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.1 mOhm @ 14.4A, 10V
  • Puissance - Max
    1.2W
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-VDFN Exposed Pad
  • Autres noms
    DMT3009LDT-7-ND
    DMT3009LDT-7DITR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1500pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 15V
  • type de FET
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Fonction FET
    Standard
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 30A 1.2W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    30A

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Fabricant: Diodes Incorporated
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