DMT3020LFDF-7

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Spécifications

Modèle de produit

DMT3020LFDF-7
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMT3020LFDF-7.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

U-DFN2020-6 (Type B)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max)

700mW (Ta), 1.8W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

6-UDFN Exposed Pad
Autres noms

DMT3020LFDF-7DITR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

393pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 8.4A (Ta) 700mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8.4A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "DMT3020LFDF-7".

DMT3008LFDF-7

La description: MOSFET N-CH 30V 12A

Fabricant: Diodes Incorporated

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