DMT6004SCT

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Spécifications

Modèle de produit

DMT6004SCT
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMT6004SCT.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.65 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.3W (Ta), 113W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

DMT6004SCTDI-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4556pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

95.4nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 100A (Tc) 2.3W (Ta), 113W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

100A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "DMT6004SCT".

DMT6008LFG-13

La description: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated

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