DMT6007LFG-7

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Spécifications

Modèle de produit

DMT6007LFG-7
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMT6007LFG-7.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PowerDI3333-8
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerWDFN
Autres noms

DMT6007LFG-7DITR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2090pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

41.3nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 15A (Ta), 80A (Tc) 2.2W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

15A (Ta), 80A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "DMT6007LFG-7".

DMT6009LPS-13

La description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated

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