ZXM64P035L3

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Spécifications

Modèle de produit

ZXM64P035L3
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXM64P035L3.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.5W (Ta), 20W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

825pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

35V
Description détaillée

P-Channel 35V 3.3A (Ta), 12A (Tc) 1.5W (Ta), 20W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.3A (Ta), 12A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "ZXM64P035L3".

ZXM66P02N8TC

La description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated

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